Биполярный транзистор - GT804V
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 15W |
| Ucb,max | - |
| Uce,max | 170V |
| Ueb,max | 1V |
| Ic,max | 10A |
| Ft,max | 10MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 20/150 |
| Tj,max | 85ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | Power, General Purpose |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |