Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 2.5V |
Ic,max | 700mA |
Ft,max | - |
Cctip,pF | 17 |
Hfe | 80/240 |
Tj,max | 100ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Quadruple |
Распиновка | |
---|---|