Биполярный транзистор - KT104G
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 150mW |
| Ucb,max | 30V |
| Uce,max | 30V |
| Ueb,max | 10V |
| Ic,max | 50mA |
| Ft,max | 5MHz |
| Cctip,pF | 50 |
| Hfe | 15/60 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BC177 OC200 2N1219 2N1221 |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | Low Power, General Purpose |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |