Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 5MHz |
Cctip,pF | 50 |
Hfe | 40/160 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | 2N3965 BC177 2N1024 2N1027 BSZ10 BSZ11 OC201 OC202 |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|