Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 10mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 1MHz |
Cctip,pF | 5 |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|