Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 20V |
Ic,max | 300mA |
Ft,max | 5MHz |
Cctip,pF | 50 |
Hfe | 40/120 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|