Биполярный транзистор - KT3117A
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 300mW |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | - |
| Ueb,max | 4V |
| Ic,max | 400mA |
| Ft,max | 200MHz |
| Cctip,pF | 10 |
| Hfe | 40/200 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | RF, Low power |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |