Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 250MHz |
Cctip,pF | 7 |
Hfe | 20/90 |
Tj,max | 120ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | RF, Low power |
Распиновка | |
---|---|