Биполярный транзистор - KT315G
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 150mW |
| Ucb,max | 35V |
| Uce,max | 35V |
| Ueb,max | 6V |
| Ic,max | 100mA |
| Ft,max | 250MHz |
| Cctip,pF | 7 |
| Hfe | 50/350 |
| Tj,max | 120ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | RF, Low power |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |