Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 260mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 25mA |
Ft,max | 300MHz |
Cctip,pF | 2 |
Hfe | 25MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | RF, Low power |
Распиновка | |
---|---|