Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 35V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 250MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 100/250 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | RF, Low power |
Распиновка | |
---|---|