Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 350MHz |
Cctip,pF | 15 |
Hfe | 50MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | RF, Low power |
Распиновка | |
---|---|