Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 50mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 2.4GHz |
Cctip,pF | 1 |
Hfe | 10MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | UHF, Low power |
Распиновка | |
---|---|