Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 30mA |
Ft,max | 1.8GHz |
Cctip,pF | 1.7 |
Hfe | 40MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | UHF, Low power |
Распиновка | |
---|---|