Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 350W |
Ucb,max | 180V |
Uce,max | 180V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 100A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 10/40 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
to49 | Распиновка |
---|---|