Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 1W |
Ucb,max | 250V |
Uce,max | 250V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 20MHz |
Cctip,pF | 70 |
Hfe | 25/140 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
Распиновка | |
---|---|