Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 10W |
Ucb,max | 800V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 2A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | 40 |
Hfe | 30/150 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
Распиновка | |
---|---|