Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 3W |
Ucb,max | 300V |
Uce,max | 250V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 7 |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|