Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 1W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1.5A |
Ft,max | 80MHz |
Cctip,pF | 50 |
Hfe | 60/100 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|