Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 50 |
Hfe | 40MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|