Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 15W |
Ucb,max | 400V |
Uce,max | 200V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 2.5A |
Ft,max | 3MHz |
Cctip,pF | 50 |
Hfe | 10/100 |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Power, High Voltage, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|