Биполярный транзистор - KT816G
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 25W |
| Ucb,max | - |
| Uce,max | 100V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 6A |
| Ft,max | 3MHz |
| Cctip,pF | 60 |
| Hfe | 25MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | Power, General Purpose |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |