Биполярный транзистор - KT819G
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 60W |
| Ucb,max | 90V |
| Uce,max | - |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 10A |
| Ft,max | 3MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 15MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | Power, General Purpose |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |