Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 30W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 15V |
Ic,max | 7.5A |
Ft,max | 1MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 10MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Power, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|