Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 50W |
Ucb,max | 300V |
Uce,max | 300V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 5A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | 250 |
Hfe | 15MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Power, Switching, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|