Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 125W |
Ucb,max | 650V |
Uce,max | 650V |
Ueb,max | 8V |
Ic,max | 15A |
Ft,max | 15MHz |
Cctip,pF | 200 |
Hfe | 8MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Power, High Voltage, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|