Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 75W |
Ucb,max | 800V |
Uce,max | 400V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 10A |
Ft,max | 20MHz |
Cctip,pF | 100 |
Hfe | 10/60 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Power, Switching, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|