Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 100W |
Ucb,max | 200V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 10A |
Ft,max | 15MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 40/200 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Darlington, Power |
Распиновка | |
---|---|