Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 150W |
Ucb,max | 800V |
Uce,max | 400V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 40A |
Ft,max | 15MHz |
Cctip,pF | 100 |
Hfe | 12MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение |
Распиновка | |
---|---|