Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 30W |
Ucb,max | 65V |
Uce,max | 65V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 5A |
Ft,max | 35MHz |
Cctip,pF | 300 |
Hfe | 15MIN |
Tj,max | 115ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | RF, Power, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|