Биполярный транзистор - 2N5415S
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 1W |
| Ucb,max | 200V |
| Uce,max | 200V |
| Ueb,max | 4V |
| Ic,max | 1A |
| Ft,max | 115MHz |
| Cctip,pF | 15 |
| Hfe | 30/150 |
| Tj,max | 200ºC |
| Аналоги | BFT19A 2N5416 KT505A |
| Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
| Назначение | RF, Medium Power, High Voltage |
| to39 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |