Биполярный транзистор - KT911A
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 3W |
| Ucb,max | 55V |
| Uce,max | 30V |
| Ueb,max | 3V |
| Ic,max | 400mA |
| Ft,max | 1GHz |
| Cctip,pF | 10 |
| Hfe | - |
| Tj,max | 120ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | RF, Power, General Purpose |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |