Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 20W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 4.5V |
Ic,max | 2A |
Ft,max | 30MHz |
Cctip,pF | 300 |
Hfe | 15MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | RF, Power, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|