Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 40V |
Ic,max | 300mA |
Ft,max | 1.5MHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 20/100 |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | 2N109 2N1175 2N59 2N59A 2N60 2N60A 2N61A 2N655 2SB136 2SB136A 2SB176 AC125 AC126 AC132 AC182 GC508 GC517 GC518 GC519 SFT223 SFT322 SFT323 2N1003 2N1004 |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение |
Распиновка | |
---|---|