Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 100mW |
Ucb,max | 12V |
Uce,max | 12V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 25mA |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 20/80 |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | 2N602 2N603 SFT319 SFT320 2N602A 2N603A 2N643 2N644 2N1094 2N2059 2N3588 2S133 2S134 2S135 2S169 TA1796 TA1797 |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power, High Frequency |
Распиновка | |
---|---|