Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 100mW |
Ucb,max | 10V |
Uce,max | 10V |
Ueb,max | |
Ic,max | 20mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 10 |
Hfe | 24/100 |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | SFT163 SFT358 |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power, High Frequency |
Распиновка | |
---|---|