Биполярный транзистор - MMBT5551
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 350mW |
| Ucb,max | 180V |
| Uce,max | 160V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 200mA |
| Ft,max | 300MHz |
| Cctip,pF | 10 |
| Hfe | 80/250 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | CMPT5551 |
| Изготовитель |
vishayБиполярные транзисторы vishayIGBT транзисторы vishayFET транзисторы vishay |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| sot23 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |