Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 10W |
Ucb,max | 65V |
Uce,max | 65V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 3.5A |
Ft,max | 8MHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 20/100 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
semelabБиполярные транзисторы semelabIGBT транзисторы semelabFET транзисторы semelab |
Назначение | RF, Power, General Purpose |
to252 | Распиновка |
---|---|