Биполярный транзистор - 2N5825

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность npn
Pc,max 360mW
Ucb,max 50V
Uce,max 40V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Ft,max 90MHz
Cctip,pF 4
Hfe 100MIN
Tj,max 125ºC
Аналоги BC237 2N5824 KT315V SE2002 SE4001
Изготовитель

gen

Биполярные транзисторы gen

IGBT транзисторы gen

FET транзисторы gen
Назначение Low Power, General Purpose
x55-1 Распиновка