Биполярный транзистор - 2N5871-1
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 100W |
| Ucb,max | 45V |
| Uce,max | 45V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 15A |
| Ft,max | 4MHz |
| Cctip,pF | 300 |
| Hfe | 20/100 |
| Tj,max | 200ºC |
| Аналоги | BD312 2N3792 KT818GM |
| Изготовитель |
iprБиполярные транзисторы iprIGBT транзисторы iprFET транзисторы ipr |
| Назначение | High Power, High Voltage, High Frequency |
| to3 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |