Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 100W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 15A |
Ft,max | 4MHz |
Cctip,pF | 500 |
Hfe | 20/100 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BD314 2N3792 KT818GM |
Изготовитель |
iprБиполярные транзисторы iprIGBT транзисторы iprFET транзисторы ipr |
Назначение | High Power, High Voltage, High Frequency |
to3 | Распиновка |
---|---|