Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 100W |
Ucb,max | 45V |
Uce,max | 45V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 15A |
Ft,max | 4MHz |
Cctip,pF | 300 |
Hfe | 20/100 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BDY24 2N3448 KT819GM |
Изготовитель |
iprБиполярные транзисторы iprIGBT транзисторы iprFET транзисторы ipr |
Назначение | RF, Power, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|