Биполярный транзистор - 2N1196
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 350mW |
| Ucb,max | 70V |
| Uce,max | 70V |
| Ueb,max | 4V |
| Ic,max | 15mA |
| Ft,max | 40MHz |
| Cctip,pF | 4 |
| Hfe | 5/30 |
| Tj,max | 200ºC |
| Аналоги | BC177 2N3965 KT3107A |
| Изготовитель |
idiБиполярные транзисторы idiIGBT транзисторы idiFET транзисторы idi |
| Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |