Биполярный транзистор - 2N6006
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 400mW |
| Ucb,max | 50V |
| Uce,max | 40V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 500mA |
| Ft,max | 165MHz |
| Cctip,pF | 6 |
| Hfe | 250MIN |
| Tj,max | 125ºC |
| Аналоги | BC337 2N5818 KT3102D |
| Изготовитель |
genБиполярные транзисторы genIGBT транзисторы genFET транзисторы gen |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| x55-1 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |