Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 70V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 800mA |
Ft,max | 240MHz |
Cctip,pF | 15 |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC307 2N2906 KT3107B |
Изготовитель |
genБиполярные транзисторы genIGBT транзисторы genFET транзисторы gen |
Назначение | Low Power, General Purpose |
x55-1 | Распиновка |
---|---|