Биполярный транзистор - 2N6030
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 200W |
| Ucb,max | 120V |
| Uce,max | 120V |
| Ueb,max | 7V |
| Ic,max | 20A |
| Ft,max | 1MHz |
| Cctip,pF | 1n |
| Hfe | 25/80 |
| Tj,max | 200ºC |
| Аналоги | 2N6031 MJ15025 2N6609 |
| Изготовитель |
motorolaБиполярные транзисторы motorolaIGBT транзисторы motorolaFET транзисторы motorola |
| Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
| to3 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |