Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 1W |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 60V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 1.2MHz |
Cctip,pF | 180 |
Hfe | 14MIN |
Tj,max | 180ºC |
Аналоги | BCY32 2N1475 KT208M |
Изготовитель |
hughesБиполярные транзисторы hughesIGBT транзисторы hughesFET транзисторы hughes |
Назначение | Low Power, General Purpose |
x3 | Распиновка |
---|---|