Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 200W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 16A |
Ft,max | 1MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 25MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BD317 |
Изготовитель |
n/aБиполярные транзисторы n/aIGBT транзисторы n/aFET транзисторы n/a |
Назначение | Power, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|