Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 1W |
Ucb,max | 110V |
Uce,max | 110V |
Ueb,max | 99V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 800KHz |
Cctip,pF | 180 |
Hfe | 50MIN |
Tj,max | 160ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
hughesБиполярные транзисторы hughesIGBT транзисторы hughesFET транзисторы hughes |
Назначение | Low Power, General Purpose |
x3 | Распиновка |
---|---|