Биполярный транзистор - 2N6556
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 2W |
| Ucb,max | 100V |
| Uce,max | 100V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 1A |
| Ft,max | 75MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 80/300 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BD530 2N6555 D40N4 2N6557 2N6558 2N4919 KT684V |
| Изготовитель |
nscБиполярные транзисторы nscIGBT транзисторы nscFET транзисторы nsc |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| to202 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |